您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs

    • InAs0.9Sb0.1/GaAs Prepared by a Two-step Growth Method with LP-MOCVD

    • 发光学报   2007年28卷第2期 页码：246-250
    • 中图分类号： TN304.55

    • 收稿：2006-07-14，

      修回：2006-11-24，

      纸质出版：2007-03-20

    移动端阅览

  • 谢建春, 缪国庆, 金亿鑫, 张铁民, 宋航, 蒋红, 刘乃康, 李志明. LP-MOCVD两步生长法制备的InAs<sub>0.9</sub>Sb<sub>0.1</sub>/GaAs[J]. 发光学报, 2007,28(2): 246-250 DOI：

    XIE Jian-chun, MIAO Guo-qing, JIN Yi-xin, ZHANG Tie-min, SONG Hang, JIANG Hong, LIU Nai-kang, LI Zhi-ming. InAs<sub>0.9</sub>Sb<sub>0.1</sub>/GaAs Prepared by a Two-step Growth Method with LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 246-250 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

118

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

联氨溶液钝化GaAs(100)表面特性及其发光性能
MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性
GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究
两步生长法生长的InxGa1-xAs/GaAs材料及性质

相关作者

徐雨萌
薄报学
高欣
韩军
赵佳豪
邢艳辉
史峰峰
杨涛涛

相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室
北京工业大学微电子学院 光电技术教育部重点实验室
中国科学院大学
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
0