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GaN发光二极管表观电容极值分析
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • GaN发光二极管表观电容极值分析

    • Analysis of the Apparent Capacitance Extremum of GaN Light-emitting Diode

    • 发光学报   2007年28卷第2期 页码：237-240
    • 中图分类号： TN312.8

    • 收稿：2006-05-25，

      修回：2006-8-21，

      纸质出版：2007-03-20

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  • 谭延亮, 游开明, 陈列尊, 袁红志. GaN发光二极管表观电容极值分析[J]. 发光学报, 2007,28(2): 237-240 DOI：

    TAN Yan-liang, YOU Kai-ming, CHEN Lie-zun, YUAN Hong-zhi. Analysis of the Apparent Capacitance Extremum of GaN Light-emitting Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(2): 237-240 DOI：

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