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GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

    • GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

    • Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes

    • 发光学报   2007年28卷第6期 页码：885-889
    • 中图分类号： O482.31

    • 收稿：2006-12-25，

      修回：2007-3-24，

      纸质出版：2007-11-20

    移动端阅览

  • 李梅, 李辉, 王玉霞, 刘国军, 曲轶. GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征[J]. 发光学报, 2007,28(6): 885-889 DOI：

    LI Mei, LI Hui, WANG Yu-xia, LIU Guo-jun, QU Yi. Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(6): 885-889 DOI：

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