浏览全部资源
扫码关注微信
1. 唐山师范学院, 初等教育学院
2. 中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室
收稿:2006-08-25,
修回:2006-11-24,
纸质出版:2007-07-20
移动端阅览
王志路, 孙宝权. (Ga, Mn)As光调制反射光谱[J]. 发光学报, 2007,28(4): 557-560
WANG Zhi-lu, SUN Bao-quan. Photo-modulated Reflectance Spectra of (Ga, Mn)As[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(4): 557-560
王志路, 孙宝权. (Ga, Mn)As光调制反射光谱[J]. 发光学报, 2007,28(4): 557-560 DOI:
WANG Zhi-lu, SUN Bao-quan. Photo-modulated Reflectance Spectra of (Ga, Mn)As[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(4): 557-560 DOI:
室温下我们研究了稀磁半导体(Ga
Mn)As的光调制反射(PR)光谱
观测到来自样品的Franz-Keldysh振荡(FKO)信号。随着Mn原子浓度的增加
PR线形展宽
但是临界点
E
0
和
+Δ
没有明显的移动。根据FKO振荡数据
计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强。测量到与Mn原子掺杂相关的杂质带
其能量位置离GaAs价带边~100 meV。根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型
估算样品的空穴浓度为~10
17
cm
-3
较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关
或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域。
浏览量
272
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构