Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

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Li嵌入对V₂O₅电子结构及光学性质的影响

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- Li嵌入对V₂O₅电子结构及光学性质的影响
- Influence of Intercalated Li on Electronic Structures and Optical Properties of V₂O₅
- 发光学报 2007年28卷第1期页码：1-6
- 作者机构：
  
  厦门大学, 物理系/半导体光子学研究中心
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究发展规划(001CB610505)();国家自然科学基金(60376015,60336020)();福建省青年人才创新基金(2005J005)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O471.5
- 收稿：2006-08-25，
  
  修回：2006-11-15，
  
  纸质出版：2007-01-20
- 稿件说明：
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李志阳, 周昌杰, 林伟, 吴启辉, 康俊勇. Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响[J]. 发光学报, 2007,28(1): 1-6

LI Zhi-yang, ZHOU Chang-jie, LIN Wei, WU Qi-hui, KANG Jun-yong. Influence of Intercalated Li on Electronic Structures and Optical Properties of V2O5[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 1-6
李志阳, 周昌杰, 林伟, 吴启辉, 康俊勇. Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响[J]. 发光学报, 2007,28(1): 1-6 DOI：

LI Zhi-yang, ZHOU Chang-jie, LIN Wei, WU Qi-hui, KANG Jun-yong. Influence of Intercalated Li on Electronic Structures and Optical Properties of V2O5[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 1-6 DOI：

采用第一性原理局域密度近似法计算了V

的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。计算结果表明

是间接带隙半导体

Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式。但Li的嵌入使得V

导带能量下移

禁带宽度减小

导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽。电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响。Li2s电子的注入提高了V

的费米能级并导致其进入导带。由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级

这致使体系实际的光学带隙增大。同时随着Li注入量的进一步增加

价带的展宽更为明显

费米能级亦呈升高的趋势

使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大。

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