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1. 复旦大学, 同步辐射研究中心, 上海, 200433
2. 复旦大学, 物理系, 应用表面物理国家重点实验室
收稿:2003-03-20,
修回:2003-6-18,
纸质出版:2004-05-20
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周映雪, 俞根才, 吴志浩, 张新夷. ZnO薄膜的分子束外延生长及性能[J]. 发光学报, 2004,25(3): 287-290
ZHOU Ying-xue, YU Gen-cai, WU Zhi-hao, ZHANG Xin-yi. MBE Preparation and Characterization of ZnO Thin Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(3): 287-290
周映雪, 俞根才, 吴志浩, 张新夷. ZnO薄膜的分子束外延生长及性能[J]. 发光学报, 2004,25(3): 287-290 DOI:
ZHOU Ying-xue, YU Gen-cai, WU Zhi-hao, ZHANG Xin-yi. MBE Preparation and Characterization of ZnO Thin Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(3): 287-290 DOI:
利用分子束外延(MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(100)、GaAs(100)和蓝宝石Al
2
O
3
(0001)衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn-O化学计量比作缓冲层
改变衬底生长温度和氧压
并在氧气氛下
进行原位退火处理
得到ZnO薄膜。依据X射线衍射(XRD)图
表明样品的结晶性能尚好
且呈c轴择优取向;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜
由于晶格失配度不同
其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌
为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶
且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在360nm激发下
样品的发光光谱是峰值为410
510nm的双峰谱
是与样品表面氧缺陷有关的深能级发光。
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CSCD
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