您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
InGaN量子阱的微观特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • InGaN量子阱的微观特性

    • Micro Characteristics of InGaN/GaN Quantum Wells

    • 发光学报   2007年28卷第1期 页码：99-103
    • 中图分类号： O472.3;O471.5

    • 收稿：2006-08-05，

      修回：2006-10-12，

      纸质出版：2007-01-20

    移动端阅览

  • 林伟, 李书平, 康俊勇. InGaN量子阱的微观特性[J]. 发光学报, 2007,28(1): 99-103 DOI：

    LIN Wei, LI Shu-ping, KANG Jun-yong. Micro Characteristics of InGaN/GaN Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 99-103 DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

浏览量

183

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED
超辐射发光二极管制备技术与研究进展
具有超晶格电子减速层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究
偏振相关的压应变量子阱增益芯片
具有组分渐变量子垒层的氮极性InGaN基红光LED仿真研究

相关作者

李忠辉
杨志坚
于彤军
胡晓东
杨华
陆曙
任谦
金春来

相关机构

北京大学物理学院介观物理国家重点实验室
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心
长春理工大学 半导体激光全国重点实验室
吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子全国重点实验室
中国科学院大学
0