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少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系

    • Relationship between Minority Carrier Life and Morphology with Luminescent Properties in Porous Silicon

    • 发光学报   2007年28卷第1期 页码：131-134
    • 中图分类号： O482.31

    • 收稿：2006-05-24，

      修回：2006-8-22，

      纸质出版：2007-01-20

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  • 赵岳, 赵杰, 李东升, 桑文斌, 杨德仁, 蒋民华. 少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系[J]. 发光学报, 2007,28(1): 131-134 DOI：

    ZHAO Yue, ZHAO Jie, LI Dong-sheng, SANG Wen-bin, YANG De-ren, JIANG Min-hua. Relationship between Minority Carrier Life and Morphology with Luminescent Properties in Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(1): 131-134 DOI：

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相关机构

华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
长春工业大学 化学工程学院
四川大学 化学学院
四川师范大学 化学学院
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