高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

张素梅; 石家纬; 赵世舜; 胡贵军

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高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
- High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic
- 发光学报 2004年25卷第3期页码：267-271
- 作者机构：
  
  1. 吉林大学, 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室
  2. 吉林大学, 数学学院, 吉林, 长春, 130012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部博士点基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：2003-05-15，
  
  修回：2003-8-16，
  
  纸质出版：2004-05-20
- 稿件说明：
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张素梅, 石家纬, 赵世舜, 胡贵军. 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性[J]. 发光学报, 2004,25(3): 267-271

ZHANG Su-mei, SHI Jia-wei, ZHAO Shi-shun, HU Gui-jun. High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(3): 267-271
张素梅, 石家纬, 赵世舜, 胡贵军. 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性[J]. 发光学报, 2004,25(3): 267-271 DOI：

ZHANG Su-mei, SHI Jia-wei, ZHAO Shi-shun, HU Gui-jun. High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(3): 267-271 DOI：

摘要

为了提高器件的可靠性和使用寿命

设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaA/sGaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器

发射波长为808nm

腔长900μm

条宽100μm

其外延结构与通常的808nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同

在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层

其厚度约为0.1μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响

在n

-GaAs衬底和n-Al

0.5

As下包层间加一层n

-GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比

远结大功率半导体激光器具有阈值电流

偏大、导通电压

偏高的直流特性。3000h的恒流电老化结果表明

器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降

输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。

Abstract

关键词

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