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一种新型阳极氧化多孔硅技术
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 一种新型阳极氧化多孔硅技术

    • New Anodic Oxidized Technology OF Porous Silicon

    • 发光学报   2004年25卷第5期 页码：561-566
    • 中图分类号： O482.31

    • 收稿：2004-01-17，

      修回：2004-6-15，

      纸质出版：2004-09-20

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  • 陈松岩, 蔡贝妮, 黄燕华, 蔡加法. 一种新型阳极氧化多孔硅技术[J]. 发光学报, 2004,(5): 561-566 DOI：

    CHEN Song-yan, CAI Bei-ni, HUANG Yan-hua, CAI Jia-fa. New Anodic Oxidized Technology OF Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,(5): 561-566 DOI：

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