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Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

    • Influence of Si-doping on the Characteristics of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells

    • 发光学报   2004年25卷第4期 页码：375-378
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2003-07-22，

      修回：2003-9-24，

      纸质出版：2004-07-20

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  • 李述体, 范广涵, 周天明, 王浩, 孙慧卿, 郑树文, 郭志友. Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响[J]. 发光学报, 2004,25(4): 375-378 DOI：

    LI Shu-ti, FAN Guang-han, ZHOU Tian-ming, WANG Hao, SUN Hui-qing, ZHENG Shu-wen, GUO Zhi-you. Influence of Si-doping on the Characteristics of AlGaInP/GaInP Multiple Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(4): 375-378 DOI：

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