基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算
- Calculation of CNT’s Electric Field Enhancement Factor Based on Finite Element Method
- 发光学报 2004年25卷第4期页码：446-448
- 作者机构：
  
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林, 长春, 130033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  空间软X射线/极紫外波段成像基础技术研究(60223003)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN873.95
- 收稿：2003-07-01，
  
  修回：2003-11-15，
  
  纸质出版：2004-07-20
- 稿件说明：
移动端阅览
解滨, 陈波. 基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算[J]. 发光学报, 2004,25(4): 446-448

XIE Bin, CHEN Bo. Calculation of CNT’s Electric Field Enhancement Factor Based on Finite Element Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(4): 446-448
解滨, 陈波. 基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算[J]. 发光学报, 2004,25(4): 446-448 DOI：

XIE Bin, CHEN Bo. Calculation of CNT’s Electric Field Enhancement Factor Based on Finite Element Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(4): 446-448 DOI：

碳纳米管由于尺寸极小

它具有很大的场增强因子

且场发射稳定

这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料。影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子

这需要求解拉普拉斯方程

由于理论解求解很困难

有限元方法成为一种有效的工具。使用有限元程序ANSYS对碳纳米管的静态电场进行了计算

建立了单根碳纳米管的模型

确定了边界条件。研究了金属型碳纳米管尖端周围的电场强度分布

为了更好地了解碳纳米管顶端附近的电场对长径比的影响

使用了参数化设计语言APDL

使得分析效率大大提高

并且计算结果与实际情况相符。说明这种方法是正确、可靠和高效的。

浏览量

275

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

四苯乙烯手性组装体系的圆偏振发光与调控研究进展

电感耦合等离子体辅助及H2/N2气氛调控对非晶Ga2O3薄膜发光特性的影响

Sr3B2O6∶Pr3+荧光粉的紫外上转换发光性能研究

强共价低声子能量稀土硫化物：破解Cr3+短波红外发光效率与稳定性难题

手性有机长余辉材料及其圆偏振发光