用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- 用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜
- Preparation of In-doped ZnO Films on Si Substrates Using Radio Frequency (rf) Reactive Co-sputtering Technique
- 发光学报 2004年25卷第6期页码：701-704
- 作者机构：
  
  兰州大学, 物理科学与技术学院, 甘肃, 兰州, 730000
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  甘肃省自然科学基金资助项目(ZS011A25050C)()
- DOI：
  中图分类号： O782
- 收稿：2004-01-12，
  
  修回：2004-3-19，
  
  纸质出版：2004-11-20
- 稿件说明：
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朋兴平, 谭永胜, 方泽波, 杨映虎, 王印月. 用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2004,25(6): 701-704

PENG Xing-ping, TAN Yong-sheng, FANG Ze-bo, YANG Ying-hu, WANG Yin-yue. Preparation of In-doped ZnO Films on Si Substrates Using Radio Frequency (rf) Reactive Co-sputtering Technique[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(6): 701-704
朋兴平, 谭永胜, 方泽波, 杨映虎, 王印月. 用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2004,25(6): 701-704 DOI：

PENG Xing-ping, TAN Yong-sheng, FANG Ze-bo, YANG Ying-hu, WANG Yin-yue. Preparation of In-doped ZnO Films on Si Substrates Using Radio Frequency (rf) Reactive Co-sputtering Technique[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(6): 701-704 DOI：

以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明

实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa)

薄膜表面平整。样品为n型导电

电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中

首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射

发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。

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