浏览全部资源
扫码关注微信
1. 北京大学物理学院, 介观物理国家重点实验室, 电子显微镜实验室, 北京100871
2. 北京大学物, 理学院, 宽禁带半导体研究中心, 北京, 100871
收稿:2003-03-31,
修回:2003-5-22,
纸质出版:2004-03-20
移动端阅览
朱彦武, 陈喜红, 陈耀锋, 徐军, 张洪洲, 冯孙齐, 俞大鹏, 张国义. 超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性[J]. 发光学报, 2004,25(2): 173-177
ZHU Yan-wu, CHEN Xi-hong, CHEN Yao-feng, XU Jun, ZHANG Hong-zhou, FENG Sun-qi, YU Da-peng, ZHANG Guo-yi. Synthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(2): 173-177
朱彦武, 陈喜红, 陈耀锋, 徐军, 张洪洲, 冯孙齐, 俞大鹏, 张国义. 超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性[J]. 发光学报, 2004,25(2): 173-177 DOI:
ZHU Yan-wu, CHEN Xi-hong, CHEN Yao-feng, XU Jun, ZHANG Hong-zhou, FENG Sun-qi, YU Da-peng, ZHANG Guo-yi. Synthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(2): 173-177 DOI:
以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO
2
纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性
直径分布均匀
平均约8nm
长度大于300μm.研究发现
载气的湿度对非晶SiO
纳米线阵列的生长有重大影响
提出了一种可能的生长模型
以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程.对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明
非晶SiO
纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰
它们直接与样品中的缺陷和空位有关.首次发现了一个稳定的PL峰
存在于红外波段
作为光源
纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用.由于SiO
是传统的光纤材料
单根SiO
纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中.
0
浏览量
277
下载量
1
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构