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曲阜师范大学物理系, 山东, 曲阜, 273165
收稿:2003-07-25,
修回:2004-3-26,
纸质出版:2004-07-20
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王晓静, 李清山. 多孔硅的光致发光机制[J]. 发光学报, 2004,25(4): 396-400
WANG Xiao-jing, LI Qing-shan. Photoluminescence Mechanism of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(4): 396-400
王晓静, 李清山. 多孔硅的光致发光机制[J]. 发光学报, 2004,25(4): 396-400 DOI:
WANG Xiao-jing, LI Qing-shan. Photoluminescence Mechanism of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(4): 396-400 DOI:
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型
每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释
而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖
因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件
制得了一系列样品
其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变
各个峰位的变化不大
但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长
各个峰位的变化很小
有红移也有蓝移
有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大
但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因
认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布
不仅使光致发光谱存在一定的带宽
而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。
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CSCD
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