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等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较

    • Comparing with the Characteristics of N2 and NH3 Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma MOCVD System

    • 发光学报   2004年25卷第2期 页码：143-146
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2003-03-17，

      修回：2003-5-19，

      纸质出版：2004-03-20

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  • 常玉春, 杨晓天, 王金忠, 王新强, 刘博阳, 刘大力, 胡礼忠, 杜国同. 等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N<sub>2</sub>和掺NH<sub>3</sub>特性比较[J]. 发光学报, 2004,25(2): 143-146 DOI：

    CHANG YU-chun, YANG Xiao-tian, WANG Jin-zhong, WANG Xin-qiang, LIU Bo-yang, LIU Da-Li, HU Li-zhong, DU Guo-tong. Comparing with the Characteristics of N<sub>2</sub> and NH<sub>3</sub> Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma MOCVD System[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(2): 143-146 DOI：

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相关作者

王立
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彭绍琴
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秦向前

相关机构

南昌大学材料科学研究所
华侨大学材料科学与工程学院 发光材料与信息显示研究院
中国工程物理研究院 化工材料研究所
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点实验室
闽江学院 物理与电子信息工程学院
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