ZnO薄膜的掺杂特性

刘大力; 杜国同; 王金忠; 张源涛; 张景林; 马艳; 杨晓天; 赵佰军; 杨洪军; 刘博阳; 杨树人

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ZnO薄膜的掺杂特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnO薄膜的掺杂特性
- Characteristics of Nitrogen Doped ZnO Film
- 发光学报 2004年25卷第2期页码：134-138
- 作者机构：
  
  吉林大学, 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点实验室, 吉林, 长春, 130023
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”计划(2001AA311130)();国家自然科学基金(60177007,60176026)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2003-03-18，
  
  修回：2003-5-8，
  
  纸质出版：2004-03-20
- 稿件说明：
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刘大力, 杜国同, 王金忠, 张源涛, 张景林, 马艳, 杨晓天, 赵佰军, 杨洪军, 刘博阳, 杨树人. ZnO薄膜的掺杂特性[J]. 发光学报, 2004,25(2): 134-138

LIU Da-li, DU Guo-tong, WANG Jin-zhong, ZHAHG Yuan-tao, ZHANG Jing-lin, MA Yan, YANG Xiao-tian, ZHAO Bai-jun, YANG Hong-jun, LIU Bo-yang, YANG Shu-ren. Characteristics of Nitrogen Doped ZnO Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(2): 134-138
刘大力, 杜国同, 王金忠, 张源涛, 张景林, 马艳, 杨晓天, 赵佰军, 杨洪军, 刘博阳, 杨树人. ZnO薄膜的掺杂特性[J]. 发光学报, 2004,25(2): 134-138 DOI：

LIU Da-li, DU Guo-tong, WANG Jin-zhong, ZHAHG Yuan-tao, ZHANG Jing-lin, MA Yan, YANG Xiao-tian, ZHAO Bai-jun, YANG Hong-jun, LIU Bo-yang, YANG Shu-ren. Characteristics of Nitrogen Doped ZnO Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(2): 134-138 DOI：

摘要

通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长

呈n型电导

要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH

对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况

利用优化生长条件

即生长温度为610℃

Ar气(携带DEZn)流量为4sccm

流量为120sccm

流量为600sccm

得到在NH

流量为80sccm时生长样品的结晶质量最高

在掺杂薄膜中NH

流量高于或低于80sccm时

样品的表面形貌都将变差

只有在80sccm时表面粗糙度最低晶粒最小

表明该流量下获得的样品表面较光滑致密.所以80sccmNH

流量为在R面蓝宝石上生长

lt;110

gt;取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量.Hall测量结果表明

流量为50sccm的样品电导呈弱p型

电阻率为102Ω

#183;cm

空穴载流子浓度为+1.69

#215;10

-3

迁移率为3.6cm

#183;V

-1

#183;s

-1

;当NH

流量增加时样品的电导呈n型

电阻率最高达10

#183;cm

我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关

并对其变化机理进行了详细的分析.

Abstract

关键词

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