直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度

王欣; 高丽娟; 于陕升; 郑伟涛; 徐娓; 郭巍; 杨开宇

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直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度
- Kinetic Scaling of Iron Nitride Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering
- 发光学报 2003年24卷第4期页码：431-434
- 作者机构：
  
  1. 吉林大学, 材料科学与工程学院
  2. 吉林大学, 电子科学与工程学院
  3. 吉林大学, 化学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.1
- 收稿：2002-08-11，
  
  修回：2002-12-23，
  
  纸质出版：2003-07-20
- 稿件说明：
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王欣, 高丽娟, 于陕升, 郑伟涛, 徐娓, 郭巍, 杨开宇. 直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度[J]. 发光学报, 2003,24(4): 431-434

WANG Xin, GAO Li-juan, YU Shan-sheng, ZHENG Wei-tao, XU Wei, GUO Wei, YANG Kai-yu. Kinetic Scaling of Iron Nitride Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 431-434
王欣, 高丽娟, 于陕升, 郑伟涛, 徐娓, 郭巍, 杨开宇. 直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度[J]. 发光学报, 2003,24(4): 431-434 DOI：

WANG Xin, GAO Li-juan, YU Shan-sheng, ZHENG Wei-tao, XU Wei, GUO Wei, YANG Kai-yu. Kinetic Scaling of Iron Nitride Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 431-434 DOI：

摘要

利用直流磁控溅射方法

以Ar/N

作为放电气体

通过改变放电气体中N

的流量(N

流量比分别为5%

10%

30%

50%)及溅射时间(160

5min)

在玻璃衬底上沉积了FexN薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)方法确定了不同N

流量下薄膜的成分;X射线衍射(XRD)方法分析了不同N

流量下的FexN薄膜结构

当N

流量比为5%时获得了FeN

0.056

相

10%时为ε-Fe

N相

30%和50%流量比下均得到FeN相。利用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线散射(GIXA)方法研究了膜表面的粗糙度和形貌

发现随着N

流量的增加

薄膜表面光滑度增加

薄膜表面呈现自仿射性质。动力学标度方法定量分析表明:薄膜表面因不同N

流量的影响而具有不同的动力学指数

当氮气流量比为5%时

静态标度指数α≈0.65

生长指数β≈0.53

#177;0.02

薄膜生长符合基于Kolmogorov提出的能量波动概念的KPZ模型指数规律。

Abstract

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