大功率半导体激光器远场特性研究

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大功率半导体激光器远场特性研究

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 大功率半导体激光器远场特性研究
- Far-field Characteristics of High Power Laser Diode
- 发光学报 2004年25卷第1期页码：95-97
- 作者机构：
  
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 激发态物理重点实验室, 吉林, 长春, 130033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国防科技重点实验室基金资助项目(00JS36.4.1ZK4101)()
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿：2003-03-11，
  
  修回：2003-8-22，
  
  纸质出版：2004-01-20
- 稿件说明：
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李丽娜, 吴金辉, 宋俊峰. 大功率半导体激光器远场特性研究[J]. 发光学报, 2004,25(1): 95-97

LI Li-na, WU Jin-hui, SONG Jun-feng. Far-field Characteristics of High Power Laser Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(1): 95-97
李丽娜, 吴金辉, 宋俊峰. 大功率半导体激光器远场特性研究[J]. 发光学报, 2004,25(1): 95-97 DOI：

LI Li-na, WU Jin-hui, SONG Jun-feng. Far-field Characteristics of High Power Laser Diode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004,25(1): 95-97 DOI：

由于半导体激光器输出光束的不对称性

使得它在许多应用过程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形.在设计光学系统的光学元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性.通过用量子阱激光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程

获得关于远场强度分布、光束散角

并用计算机给出各种理论曲线及数据.用自行设计制作的测试装置测量

获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据.计算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全一致.

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