Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究

孙国胜; 罗木昌; 王雷; 赵万顺; 孙艳玲; 曾一平; 李晋闽; 林兰英

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究
- Raman Investigations of 3C-SiC Films Grown on Si (100) and Sapphire (0001) by LPCVD
- 发光学报 2003年24卷第4期页码：421-425
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所, 新材料实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家基础研究专项基金(G20000683)();国家高技术研究与发展基金(2001AA311090)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN304.24
- 收稿：2002-08-14，
  
  修回：2002-12-23，
  
  纸质出版：2003-07-20
- 稿件说明：
移动端阅览
孙国胜, 罗木昌, 王雷, 赵万顺, 孙艳玲, 曾一平, 李晋闽, 林兰英. Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 421-425

SUN Guo-sheng, LUO Mu-chang, WANG Lei, ZHAO Wan-shun, SUN Yan-ling, ZENG Yi-ping, LI Jin-min, LIN Lan-ying. Raman Investigations of 3C-SiC Films Grown on Si (100) and Sapphire (0001) by LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 421-425
孙国胜, 罗木昌, 王雷, 赵万顺, 孙艳玲, 曾一平, 李晋闽, 林兰英. Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 421-425 DOI：

SUN Guo-sheng, LUO Mu-chang, WANG Lei, ZHAO Wan-shun, SUN Yan-ling, ZENG Yi-ping, LI Jin-min, LIN Lan-ying. Raman Investigations of 3C-SiC Films Grown on Si (100) and Sapphire (0001) by LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 421-425 DOI：

摘要

单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料

然而

由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度

在3C-SiC中会产生很大的内应力

直接影响3C-SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法

其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息

其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜

在生长的所有样品中均观察到了典型的3C-SiC的TO和LO声子峰

在3C-SiC/Si材料中

这两个声子峰分别位于970.3cm

-1

和796.0cm

-1

在3C-SiC/蓝宝石材料中

分别位于965.1cm

-1

和801.2cm

-1

这一结果表明这两种外延材料均为3C-SiC晶型。利用一个3C-SiC自由膜作为无应力标准样品

并根据3C-SiC/Si和3C-SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量

得到3C-SiC中的内应力约分别为1GPa和4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反

通过比较3C-SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数

预期Si衬底上的3C-SiC外延膜受到的应力为张应力

而蓝宝石衬底上3C-SiC受到的应力则为压应力。

Abstract

关键词

Keywords

references

浏览量

293

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

非晶碳氮纳米尖端的微结构和发光机理

锥形碳氮结构的发光性能

a-C ∶ N ∶ H纳米尖端荧光产生的机理

有机纳米分子聚集体PIC-I的Raman光谱研究

电感耦合等离子体辅助及H2/N2气氛调控对非晶Ga2O3薄膜发光特性的影响