非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究
- Raman Depth Profile Research of Laser Crystallized a:Si Film
- 发光学报 2003年24卷第4期页码：426-430
- 作者机构：
  
  1. 南开大学, 光子学中心
  2. 南开大学, 光电子器件与薄膜研究所
  3. 美国Dupont公司, 南开大学讲座教授
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部振兴计划资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2002-08-11，
  
  修回：2002-10-29，
  
  纸质出版：2003-07-20
- 稿件说明：
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徐晓轩, 林海波, 武中臣, 李洪波, 俞钢, 朱箭, 张存洲, 张光寅. 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 426-430

XU Xiao-xuan, LIN Hai-bo, WU Zhong-chen, LI Hong-bo, YU Gang, ZHU Jian, ZHANG Cun-zhou, ZHANG Guang-yin. Raman Depth Profile Research of Laser Crystallized a:Si Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 426-430
徐晓轩, 林海波, 武中臣, 李洪波, 俞钢, 朱箭, 张存洲, 张光寅. 非晶硅薄膜的激光晶化及深度剖析喇曼光谱研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 426-430 DOI：

XU Xiao-xuan, LIN Hai-bo, WU Zhong-chen, LI Hong-bo, YU Gang, ZHU Jian, ZHANG Cun-zhou, ZHANG Guang-yin. Raman Depth Profile Research of Laser Crystallized a:Si Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 426-430 DOI：

利用共焦显微喇曼光谱仪

对采用PECVD方法制备的非晶硅薄膜进行了退火晶化。晶化后薄膜的喇曼光谱表明

薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构

同时根据微晶硅结构的喇曼光谱的晶化峰位的移动

可以计算出晶化后微晶硅晶粒尺寸为5nm左右。在对晶化后的薄膜进行深度剖析喇曼光谱研究中

对光谱进行分峰拟合

根据晶化峰的积分强度和非晶峰的积分强度的深度剖析曲线

可以看出晶化程度最高的部分位于薄膜中央

也就是在薄膜上层和接近衬底底部材料结构仍是非晶硅结构

而位于薄膜中间的材料结构转变为微晶硅结构。

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