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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

    • Induced Growth and Optical Property Study of InGaN Quantum Dots

    • 发光学报   2003年24卷第4期 页码：380-384
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿：2002-08-14，

      修回：2002-11-30，

      纸质出版：2003-07-20

    移动端阅览

  • 李昱峰, 韩培德, 陈振, 黎大兵, 王占国, 刘祥林, 陆大成, 王晓晖, 汪度. InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 380-384 DOI：

    LI Yu-feng, HAN Pei-de, CHEN Zhen, LI Da-bing, WANG Zhan-guo, LIU Xiang-lin, LU Da-cheng, WANG Xiao-hui, WANG Du. Induced Growth and Optical Property Study of InGaN Quantum Dots[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 380-384 DOI：

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相关作者

赵慧凯
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相关机构

广西大学 化学化工学院
中国海洋大学 材料科学与工程研究院
中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体研究所, 光电子器件研发中心
清华大学, 物理系
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