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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜

    • Growth of Zinc-Oxide Thin Films on (400) Si by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy

    • 发光学报   2003年24卷第3期 页码：275-278
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2002-07-19，

      修回：2002-11-20，

      纸质出版：2003-05-20

    移动端阅览

  • 梁红伟, 吕有明, 申德振, 刘益春, 李炳辉, 张吉英, 范希武. 利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2003,24(3): 275-278 DOI：

    LIANG Hong-wei, LU You-ming, SHEN De-zhen, LIU Yi-chun, LI Bing-hui, ZHANG Ji-ying, FAN X W. Growth of Zinc-Oxide Thin Films on (400) Si by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(3): 275-278 DOI：

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