多孔硅的不同制备方法及其光致发光

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多孔硅的不同制备方法及其光致发光

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 多孔硅的不同制备方法及其光致发光
- Fabrication Method and Photoluminescence of Porous Silicon
- 发光学报 2003年24卷第2期页码：203-207
- 作者机构：
  
  曲阜师范大学, 物理系, 山东, 曲阜, 273165
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2002-08-20，
  
  修回：2002-12-11，
  
  纸质出版：2003-03-20
- 稿件说明：
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王晓静, 李清山, 王佐臣. 多孔硅的不同制备方法及其光致发光[J]. 发光学报, 2003,24(2): 203-207

WANG Xiao-jing, LI Qing-shan, WANG Zuo-chen. Fabrication Method and Photoluminescence of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 203-207
王晓静, 李清山, 王佐臣. 多孔硅的不同制备方法及其光致发光[J]. 发光学报, 2003,24(2): 203-207 DOI：

WANG Xiao-jing, LI Qing-shan, WANG Zuo-chen. Fabrication Method and Photoluminescence of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 203-207 DOI：

目前

多孔硅的制备方法已有许多种。我们用电化学方法、光化学方法和化学方法分别制备出了室温下在可见光区发射光荧光的多孔硅。通过对实验装置、制备条件、样品的成膜过程及其光致发光(PL)光谱的比较

分析解释了其成膜机理和PL光谱的特点。认为虽然这三种方法都可以制备出多孔硅

但相比较而言

通过电化学方法制备的样品最均匀

实验的可重复性较强

因而电化学方法是被普遍采用的一种方法。另外在多孔硅的成膜过程中

自由载流子起着至关重要的作用。

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