Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

许小亮; 徐军; 徐传明; 杨晓杰; 郭常新; 施朝淑

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Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光
- Cathodoluminescence of ZnO Films on Silicon
- 发光学报 2003年24卷第2期页码：171-176
- 作者机构：
  
  1. 中国科学技术大学物理系, 安徽, 合肥, 230026
  2. 中国科学院结构分析重点实验室, 安徽, 合肥, 230026
  3. 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系, 安徽, 合肥, 230027
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(50142016)();973预研究基金(国科基字[2001]51号)();安徽省自然科学基金(0046506)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O734+.3;TN304.1+2;TN304.2+1
- 收稿：2002-08-14，
  
  修回：2002-10-25，
  
  纸质出版：2003-03-20
- 稿件说明：
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许小亮, 徐军, 徐传明, 杨晓杰, 郭常新, 施朝淑. Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光[J]. 发光学报, 2003,24(2): 171-176

XU Xiao-liang, XU Jun, XU Chuan-ming, YANG Xiao-jie, GUO Chang-xin, SHI Chao-shu. Cathodoluminescence of ZnO Films on Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 171-176
许小亮, 徐军, 徐传明, 杨晓杰, 郭常新, 施朝淑. Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光[J]. 发光学报, 2003,24(2): 171-176 DOI：

XU Xiao-liang, XU Jun, XU Chuan-ming, YANG Xiao-jie, GUO Chang-xin, SHI Chao-shu. Cathodoluminescence of ZnO Films on Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 171-176 DOI：

摘要

几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示

当退火温度低于等于800℃时

随着退火温度的升高

薄膜的晶体质量得到了改善

这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加

同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了

其峰位为525nm。当退火温度为950℃时

紫外带几乎消失

而只剩下绿带

且与纯硅酸锌样品的CL谱一致

掠入射X射线衍射测量表明

确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此

从ZnO/Si异质结的质量来看

直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时

不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量

而当退火温度接近或高于800℃时

虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加

但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌

将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。

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