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MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性
半导体发光激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

    • MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

    • Characterization of InP/GalnAsP DBRs Structures and Related Materials Grown by MOCVD

    • 发光学报   2003年24卷第6期 页码：632-636
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2003-01-20，

      修回：2003-4-22，

      纸质出版：2003-11-20

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  • 蒋红, 金亿鑫, 缪国庆, 宋航, 元光. MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性[J]. 发光学报, 2003,24(6): 632-636 DOI：

    JIANG Hong, JIN Yi-xin, MIAO Guo-qing, SONG Hang, YUAN Guang. Characterization of InP/GalnAsP DBRs Structures and Related Materials Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(6): 632-636 DOI：

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