LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

王晓华; 单崇新; 张振中; 张吉英; 范希武; 吕有明; 刘益春; 申德振

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LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究
- Photoluminescence of (ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe Quantum Wells Grown by LP-MOCVD
- 发光学报 2003年24卷第4期页码：371-374
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 激发态物理重点实验室
  2. 长春理工大学, 高功率半导体激光国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家攀登计划();国家自然科学重大基金(69896260)();中科院创新工程();中科院BR计划();国家自然科学基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿：2002-09-05，
  
  修回：2002-12-13，
  
  纸质出版：2003-07-20
- 稿件说明：
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王晓华, 单崇新, 张振中, 张吉英, 范希武, 吕有明, 刘益春, 申德振. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 371-374

WANG Xiao-hua, SHAN Chong-xin, ZHANG Zhen-zhong, ZHANG Ji-ying, FAN X W, LÜ You-ming, LIU Yi-chun, SHEN De-zhen. Photoluminescence of (ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe Quantum Wells Grown by LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 371-374
王晓华, 单崇新, 张振中, 张吉英, 范希武, 吕有明, 刘益春, 申德振. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J]. 发光学报, 2003,24(4): 371-374 DOI：

WANG Xiao-hua, SHAN Chong-xin, ZHANG Zhen-zhong, ZHANG Ji-ying, FAN X W, LÜ You-ming, LIU Yi-chun, SHEN De-zhen. Photoluminescence of (ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe Quantum Wells Grown by LP-MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 371-374 DOI：

摘要

用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe

ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱

得到两个发光峰(记为

)

分析认为高能侧的峰为Zn

0.9

0.1

Te浅阱峰

而低能侧的峰为ZnSe

0.2

0.8

深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量

当激发强度增加时

PL谱中两个发光峰的比值(

)开始时迅速增加

然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离

从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。

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