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ZnqCl2薄膜与器件的制备及其光电特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • ZnqCl2薄膜与器件的制备及其光电特性

    • Preparation and Photoelectric Properties of ZnqCl2 Thin Films and Devices

    • 发光学报   2003年24卷第4期 页码：412-416
    • 中图分类号： TN383.1;TN873.3

    • 收稿：2002-10-30，

      修回：2003-4-15，

      纸质出版：2003-07-20

    移动端阅览

  • 刘彭义, 许宁生, 赵福利, 邓少芝, 陈军, 叶建青, 龚孟濂. ZnqCl<sub>2</sub>薄膜与器件的制备及其光电特性[J]. 发光学报, 2003,24(4): 412-416 DOI：

    LIU Peng-yi, XU Ning-sheng, ZHAO Fu-li, DENG Shao-zhi, CHEN Jun, YE Jian-qing, GONG Meng-lian. Preparation and Photoelectric Properties of ZnqCl<sub>2</sub> Thin Films and Devices[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(4): 412-416 DOI：

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相关作者

曹镛
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相关机构

华南理工大学, 高分子电致发光材料与器件研究所
中国科学院长春光学精密机械及物理研究所
河北大学固体发光研究室
中国科学院长春物理研究所
复旦大学化学系
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