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1. 昆明物理研究所, 云南, 昆明, 650223
2. 南开大学物理学院光子学中心
收稿:2002-08-11,
修回:2003-3-19,
纸质出版:2003-05-20
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黄晖, 唐莹娟, 许京军, 张存洲, 张光寅. LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析[J]. 发光学报, 2003,24(3): 261-264
HUANG Hui, TANG Ying-juan, XU Jing-jun, ZHANG Cun-zhou, ZHANG Guang-yin. Micro-Raman and Micro-photoluminescence Spectra of LPE Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te Epitaxial Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(3): 261-264
黄晖, 唐莹娟, 许京军, 张存洲, 张光寅. LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析[J]. 发光学报, 2003,24(3): 261-264 DOI:
HUANG Hui, TANG Ying-juan, XU Jing-jun, ZHANG Cun-zhou, ZHANG Guang-yin. Micro-Raman and Micro-photoluminescence Spectra of LPE Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te Epitaxial Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(3): 261-264 DOI:
利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd
0.96
Zn
0.04
Te衬底上生长的Hg
0.8
Cd
0.2
Te外延薄膜样品
在100~5000cm
-1
光谱范围进行测量
在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类HgTe的光学振动横模(TO
1
模)和纵模(LO
模)的Raman散射峰、类CdTe光学振动横模(TO
2
模)混合的Raman散射峰以及来源于TO
+LO
的二级Raman散射峰外
在1000~5000cm
光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰
该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为134~183eV
发光中心位于2750cm
即162eV
发光峰的半高宽(FWHM)约为025eV。通过分析指出
该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。
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