Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究
- Investigation of n-3C-SiC/p-Si Heterojunctions on Si(100)
- 发光学报 2003年24卷第2期页码：130-134
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所, 北京, 100083
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点基础研究专项经费基金(G20000683)();国家863高技术研究与发展项目基金(2001AA311090)资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN304.2+4
- 收稿：2002-08-11，
  
  修回：2002-12-23，
  
  纸质出版：2003-03-20
- 稿件说明：
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孙国胜, 孙艳玲, 王雷, 赵万顺, 罗木昌, 李建平, 曾一平, 林兰英. Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究[J]. 发光学报, 2003,24(2): 130-134

SUN Guo-sheng, SUN Yan-ling, WANG Lei, ZHAO Wan-shun, LUO Mu-chang, LI Jian-ping, ZENG Yi-ping, LI Jin-min, LIN Lan-ying. Investigation of n-3C-SiC/p-Si Heterojunctions on Si(100)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 130-134
孙国胜, 孙艳玲, 王雷, 赵万顺, 罗木昌, 李建平, 曾一平, 林兰英. Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究[J]. 发光学报, 2003,24(2): 130-134 DOI：

SUN Guo-sheng, SUN Yan-ling, WANG Lei, ZHAO Wan-shun, LUO Mu-chang, LI Jian-ping, ZENG Yi-ping, LI Jin-min, LIN Lan-ying. Investigation of n-3C-SiC/p-Si Heterojunctions on Si(100)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 130-134 DOI：

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜

扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑

无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的

I-V

C-V

特性及

I-V

特性的温度依赖关系

比较了In电极的3C-SiC/p-Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p-Si异质结构的

I-V

特性

实验发现引入SiGe缓冲层后

器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C-SiC/p-Si二极管的最大反向击穿电压接近100V

品质因子为1.95。

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