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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

    • Structure and Luminescence Properties of Multi-sheet InGaN Quantum Dots Grown by Passivation-low-temperature Method

    • 发光学报   2003年24卷第2期 页码：135-138
    • 中图分类号： O472.3;O484.1

    • 收稿：2002-08-12，

      修回：2002-10-21，

      纸质出版：2003-03-20

    移动端阅览

  • 陈振, 韩培德, 陆大成, 刘祥林, 王晓晖, 李昱峰, 袁海荣, 陆沅, 黎大兵, 王秀凤, 朱勤生, 王占国. 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]. 发光学报, 2003,24(2): 135-138 DOI：

    CHEN Zhen, HAN Pei-de, LU Da-cheng, LIU Xiang-lin, WANG Xiao-hui, LI Yu-feng, YUAN Hai-rong, LU Yuan, LI Da-bing, WANG Xiu-feng, ZHU Qin-sheng, WANG Zhan-guo. Structure and Luminescence Properties of Multi-sheet InGaN Quantum Dots Grown by Passivation-low-temperature Method[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(2): 135-138 DOI：

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相关作者

李昱峰
韩培德
陈振
黎大兵
王占国
刘祥林
陆大成
王晓晖

相关机构

中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体研究所, 光电子研究发展中心
吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子全国重点实验室
重庆邮电大学 集成电路学院（重庆国际半导体学院）
重庆邮电大学 电子科学与工程学院
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