FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析
- Synthesis of Ta-C(N) Films by FCVAD and Their Raman and XPS Spectra
- 发光学报 2003年24卷第5期页码：535-539
- 作者机构：
  
  1. 北京师范大学, 分析测试中心, 北京, 100875
  2. 北京师范大学, 低能核物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家"863"计划资助项目(863-715-008-0040)()
- DOI：
  中图分类号： O482.31
- 收稿：2002-08-11，
  
  修回：2003-2-16，
  
  纸质出版：2003-09-20
- 稿件说明：
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王广甫, 张荟星. FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析[J]. 发光学报, 2003,24(5): 535-539

WANG Guang-fu, ZHANG Hui-xing. Synthesis of Ta-C(N) Films by FCVAD and Their Raman and XPS Spectra[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(5): 535-539
王广甫, 张荟星. FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析[J]. 发光学报, 2003,24(5): 535-539 DOI：

WANG Guang-fu, ZHANG Hui-xing. Synthesis of Ta-C(N) Films by FCVAD and Their Raman and XPS Spectra[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(5): 535-539 DOI：

掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C

研究中出现的一种新型固体薄膜材料

近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下

在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N

分压越大

N/C原子比越高

最高可达31.1%。但同时sp

键含量越低

并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。

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