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ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

    • Effect of Different Annealing Conditions of ZnO-Si on the Growth of ZnSe

    • 发光学报   2003年24卷第1期 页码：61-65
    • 中图分类号： O484.1

    • 收稿：2002-06-25，

      修回：2002-9-28，

      纸质出版：2003-01-20

    移动端阅览

  • 王晓华, 范希武, 单崇新, 张振中, 张吉英, 刘益春, 吕有明, 申德振. ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响[J]. 发光学报, 2003,24(1): 61-65 DOI：

    WANG Xiao-hua, FAN X W, SHAN Cong-xin, ZHANG Zhen-zhong, ZHANG Ji-ying, LIU Yi-chun, LÜ You-ming, SHEN De-zhen. Effect of Different Annealing Conditions of ZnO-Si on the Growth of ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(1): 61-65 DOI：

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