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RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响
论文 | 更新时间：2020-08-11

    • RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

    • Study of PL Spectrum from LPCVD-Si3N4 Film after Rapid Thermal Annealing

    • 发光学报   2003年24卷第1期 页码：66-68
    • 中图分类号： O482.31

    • 收稿：2002-07-03，

      修回：2002-8-20，

      纸质出版：2003-01-20

    移动端阅览

  • 刘渝珍, 石万全, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春. RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响[J]. 发光学报, 2003,24(1): 66-68 DOI：

    LIU Yu-zhen, SHI Wan-quan, ZHAO Ling-li, SUN Bao-yin, YE Tian-chun. Study of PL Spectrum from LPCVD-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> Film after Rapid Thermal Annealing[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2003,24(1): 66-68 DOI：

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中国科学院, 研究生院
中国科学技术大学研究生院
中国科学院微电子研究中心
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