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稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

    • Photoluminescence Properties in Nd, Ce-implanted Si-based Films

    • 发光学报   2002年23卷第3期 页码：291-295
    • 中图分类号： O482.31

    • 收稿：2001-09-18，

      修回：2002-3-22，

      纸质出版：2002-05-20

    移动端阅览

  • 元美玲, 刘南生, 王水凤, 曾宇昕, 汪庆年. 稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性[J]. 发光学报, 2002,23(3): 291-295 DOI：

    YUAN Mei-ling, LIU Nan-sheng, WANG Shui-feng, ZENG Yu-xin, WANG Qing-nian. Photoluminescence Properties in Nd, Ce-implanted Si-based Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(3): 291-295 DOI：

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张观广
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相关机构

华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
长春工业大学 化学工程学院
吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室
昆明物理研究所
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