高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析
- A Theoretic Analysis of Electrical Injection and Optical Output Process in High Brightness Light Emitting Diodes
- 发光学报 2002年23卷第3期页码：255-260
- 作者机构：
  
  华南师范大学量子电子学研究所MOCVD室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  广州市科技重点攻关计划资助项目(1999-Z-035-01)()
- DOI：
  中图分类号： TN312.8
- 收稿：2001-07-19，
  
  修回：2002-1-10，
  
  纸质出版：2002-05-20
- 稿件说明：
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邓云龙, 廖常俊, 刘颂豪, 范广涵, 文尚胜. 高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析[J]. 发光学报, 2002,23(3): 255-260

DENG Yun-long, LIAO Chang-jun, LIU Song-hao, FAN Guang-han, WEN Shang-sheng. A Theoretic Analysis of Electrical Injection and Optical Output Process in High Brightness Light Emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(3): 255-260
邓云龙, 廖常俊, 刘颂豪, 范广涵, 文尚胜. 高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析[J]. 发光学报, 2002,23(3): 255-260 DOI：

DENG Yun-long, LIAO Chang-jun, LIU Song-hao, FAN Guang-han, WEN Shang-sheng. A Theoretic Analysis of Electrical Injection and Optical Output Process in High Brightness Light Emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(3): 255-260 DOI：

通过对典型结构的高亮度发光二极管(HBLED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析

计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系

结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大

较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在49～98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线

并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过121%。

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