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退火温度对a-Se0.70 Ge0.15Sb0.15薄膜的结构和光学性质的影响
学术论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 退火温度对a-Se0.70 Ge0.15Sb0.15薄膜的结构和光学性质的影响

    • Effect of Annealing Temperature on the Optical Properties of a-Se0.70 Ge0.15 Sb0.15 Thin Films

    • 发光学报   2002年23卷第2期 页码：137-144
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2001-09-20，

      修回：2001-10-28，

      纸质出版：2002-03-20

    移动端阅览

  • Farag E M, Ammar A H, Soliman H S. 退火温度对a-Se<sub>0.70</sub> Ge<sub>0.15</sub>Sb<sub>0.15</sub>薄膜的结构和光学性质的影响[J]. 发光学报, 2002,23(2): 137-144 DOI：

    Farag E M, Ammar A H, Soliman H S. Effect of Annealing Temperature on the Optical Properties of a-Se<sub>0.70</sub> Ge<sub>0.15</sub> Sb<sub>0.15</sub> Thin Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 137-144 DOI：

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相关机构

华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
吉林省产品质量监督检验院
长春理工大学 光电工程学院
长春工业大学 化学工程学院
电子科技大学中山学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室
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