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采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)
学术论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

    • Nitridation of GaAs(001) Using N2-RF Plasma

    • 发光学报   2002年23卷第2期 页码：114-118
    • 中图分类号： TN312.8

    • 收稿：2001-09-17，

      修回：2001-10-20，

      纸质出版：2002-03-20

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  • 秦志新, 陈志忠, 周建辉, 张国义. 采用N<sub>2</sub>-RF等离子体氮化GaAs(001)[J]. 发光学报, 2002,23(2): 114-118 DOI：

    QIN Zhi-xin, CHEN Zhi-zhong, ZHOU Jian-hui, ZHANG Guo-yi. Nitridation of GaAs(001) Using N<sub>2</sub>-RF Plasma[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 114-118 DOI：

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