GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

学术论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化
- Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells
- 发光学报 2002年23卷第2期页码：109-111
- 作者机构：
  
  1. 香港科技大学物理系
  2. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(19974045)();中国科学院纳米科学技术项目基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： O472.31
- 收稿：2001-09-20，
  
  修回：2001-11-5，
  
  纸质出版：2002-03-20
- 稿件说明：
移动端阅览
罗向东, 徐仲英, 葛惟琨. GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化[J]. 发光学报, 2002,23(2): 109-111

LUO X D, XU Z Y, GE W K. Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 109-111
罗向东, 徐仲英, 葛惟琨. GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化[J]. 发光学报, 2002,23(2): 109-111 DOI：

LUO X D, XU Z Y, GE W K. Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 109-111 DOI：

我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现

在低温下用连续光(CW)激发

由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下

情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外

一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究

我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S”形变化的主要根源。

浏览量

472

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

超辐射发光二极管制备技术与研究进展

偏振相关的压应变量子阱增益芯片

红外波段超辐射发光二极管研究进展

高温稳定25 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器

势垒硅掺杂对GaN基LED极化电场及其光电性能的影响

相关机构

长春理工大学半导体激光全国重点实验室

中国科学院大学

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术全国重点实验室

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

北京工业大学激光工程研究院

AI问答

⁰