无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

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学术论文 | 更新时间：2020-08-11

- 无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
- Band Gap Blue Shift of InGaAsP/InP MQWs By Impurity-Free Vacancy Disordering
- 发光学报 2002年23卷第2期页码：119-123
- 作者机构：
  
  1. 天津师范大学物理与电子信息学院
  2. 南开大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(69886001)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2001-09-21，
  
  修回：2001-10-28，
  
  纸质出版：2002-03-20
- 稿件说明：
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张晓丹, 赵杰, 王永晨, 金鹏. 无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究[J]. 发光学报, 2002,23(2): 119-123

ZHANG Xiao-dan, ZHAO Jie, WANG Yong-chen, JIN Peng. Band Gap Blue Shift of InGaAsP/InP MQWs By Impurity-Free Vacancy Disordering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 119-123
张晓丹, 赵杰, 王永晨, 金鹏. 无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究[J]. 发光学报, 2002,23(2): 119-123 DOI：

ZHANG Xiao-dan, ZHAO Jie, WANG Yong-chen, JIN Peng. Band Gap Blue Shift of InGaAsP/InP MQWs By Impurity-Free Vacancy Disordering[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 119-123 DOI：

采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法

研究了由Si

、SiO

电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si

、SiO

作为电介质盖层

用来产生空位

再经过快速热退火处理(RTA)。实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si

复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO

复合盖层。而InGaAs、SiO

复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si

复合盖层。同时

光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致

因此

PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法。

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