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中国科学院激发态物理开放研究实验室, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
收稿:2001-07-23,
修回:2001-8-4,
纸质出版:2002-01-20
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曹立新, 黄世华. ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱的荧光衰减[J]. 发光学报, 2002,23(1): 81-84
CAO Li-xin, HUANG Shi-hua. Luminescence Decay of ZnS/CdS/ZnS Quantum Dot Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(1): 81-84
曹立新, 黄世华. ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱的荧光衰减[J]. 发光学报, 2002,23(1): 81-84 DOI:
CAO Li-xin, HUANG Shi-hua. Luminescence Decay of ZnS/CdS/ZnS Quantum Dot Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(1): 81-84 DOI:
采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱
并对其光谱性质进行了研究.结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀
平均粒径为4.5nm
发光峰位于515nm左右
归属于CdS体内的施主受主对复合.ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS的发光比核壳结构的ZnS/CdS量子点增强了近四倍
荧光寿命也有所增长.
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