InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究
- Spectral Study of InGaAs/GaAs Strained Quantum Wells
- 发光学报 2002年23卷第6期页码：549-553
- 作者机构：
  
  1. 厦门大学物理系
  2. 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  福建省自然科学基金重点资助项目(A992001)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2002-08-11，
  
  修回：2002-9-20，
  
  纸质出版：2002-11-20
- 稿件说明：
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孔令民, 蔡加法, 林雪娇, 杨克勤, 吴正云, 沈文忠. InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究[J]. 发光学报, 2002,23(6): 549-553

KONG Ling-min, CAI Jia-fa, LIN Xue-jiao, YANG Ke-qin, WU Zheng-yun, SHEN Wen-zhong. Spectral Study of InGaAs/GaAs Strained Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(6): 549-553
孔令民, 蔡加法, 林雪娇, 杨克勤, 吴正云, 沈文忠. InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究[J]. 发光学报, 2002,23(6): 549-553 DOI：

KONG Ling-min, CAI Jia-fa, LIN Xue-jiao, YANG Ke-qin, WU Zheng-yun, SHEN Wen-zhong. Spectral Study of InGaAs/GaAs Strained Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(6): 549-553 DOI：

分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法

测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱

发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大

但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快

这是由激子-声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁

多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算

很好地解释了实验结果。

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