MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

李树玮; 缪国庆; 蒋红; 元光; 宋航; 金亿鑫; 小池一步; 矢野满明

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MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用

研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用
- Vertically Stacked, Self-assembled MBE-grown InAs Quantum Dots and Application of Field Effect Transistor
- 发光学报 2002年23卷第6期页码：554-558
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林, 长春, 130022
  2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室, 吉林, 长春, 130022
  3. 大阪工业大学新材料研究中心, 大阪旭区大宫, 535-8585, 日本
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60177041)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2002-07-20，
  
  修回：2002-9-20，
  
  纸质出版：2002-11-20
- 稿件说明：
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李树玮, 缪国庆, 蒋红, 元光, 宋航, 金亿鑫, 小池一步, 矢野满明. MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用[J]. 发光学报, 2002,23(6): 554-558

LI Shu-wei, MIAO Guo-qing, JIANG Hong, YUAN Guang, SONG Hang, JIN Yi-xin, Kazuto K, Mitsuaki Y. Vertically Stacked, Self-assembled MBE-grown InAs Quantum Dots and Application of Field Effect Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(6): 554-558
李树玮, 缪国庆, 蒋红, 元光, 宋航, 金亿鑫, 小池一步, 矢野满明. MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用[J]. 发光学报, 2002,23(6): 554-558 DOI：

LI Shu-wei, MIAO Guo-qing, JIANG Hong, YUAN Guang, SONG Hang, JIN Yi-xin, Kazuto K, Mitsuaki Y. Vertically Stacked, Self-assembled MBE-grown InAs Quantum Dots and Application of Field Effect Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(6): 554-558 DOI：

摘要

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点

在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征

并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。所用Al

0.5

As势垒外延层

对镶嵌在其中的InAs量子点有很强的量子限制作用

并产生强量子限制效应

可以把InAs量子点的电子和空穴能级的热激发当作"深能级"的热激发来研究

这样可用DLTS方法进行测量。在垂直堆垛的InAs量子点的HFET器件中

由充电和放电过程的

曲线可以看到阈值电压有非常大的移动

这样便产生存储效应。

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