MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光

黄晖; 许京军; 王吉有; 张存洲; 姬荣斌; 潘顺臣; 张光寅

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MOCVD外延Hg_1-xCd_xTe/Cd_1-yZn_yTe薄膜的光致发光

学术论文 | 更新时间：2020-08-11

- MOCVD外延Hg_1-xCd_xTe/Cd_1-yZn_yTe薄膜的光致发光
- Photoluminescence ofHg_1-xCd_xTe/Cd_1-yZn_yTe Epitaxial Films Grown by MOCVD
- 发光学报 2002年23卷第2期页码：133-136
- 作者机构：
  
  1. 昆明物理研究所, 云南昆明650223
  2. 南开大学物理科学学院光子学中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2001-09-20，
  
  修回：2001-10-25，
  
  纸质出版：2002-03-20
- 稿件说明：
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黄晖, 许京军, 王吉有, 张存洲, 姬荣斌, 潘顺臣, 张光寅. MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光[J]. 发光学报, 2002,23(2): 133-136

HUANG Hui, XU Jing-jun, WANG Ji-you, ZHANG Cun-zhou, JI Rong-Bin, PAN Shun-chen, ZHANG Guang-yin. Photoluminescence ofHg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe Epitaxial Films Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 133-136
黄晖, 许京军, 王吉有, 张存洲, 姬荣斌, 潘顺臣, 张光寅. MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光[J]. 发光学报, 2002,23(2): 133-136 DOI：

HUANG Hui, XU Jing-jun, WANG Ji-you, ZHANG Cun-zhou, JI Rong-Bin, PAN Shun-chen, ZHANG Guang-yin. Photoluminescence ofHg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe Epitaxial Films Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(2): 133-136 DOI：

摘要

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd

0.96

0.04

Te衬底上生长的Hg

0.8

0.2

Te外延薄膜样品在光谱范围50～5000cm

-1

进行了测量

在其中的一块样品上首次发现了143eV至193eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰

该发光峰对应的能带中心位于Hg

0.8

0.2

Te外延层导带底上方173eV

在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰

没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因

对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析

得出样品在143eV至193eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致

通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg

0.8

0.2

Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。

Abstract

关键词

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