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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响

    • Effects on Optical and Electrical Properties of InGaAs(P)/InP MQW Structure by Quantum Well Intermixing

    • 发光学报   2002年23卷第6期 页码：540-548
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿：2002-08-11，

      修回：2002-11-2，

      纸质出版：2002-11-20

    移动端阅览

  • 赵杰, 王永晨. InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响[J]. 发光学报, 2002,23(6): 540-548 DOI：

    ZHAO Jie, WANG Yong-chen. Effects on Optical and Electrical Properties of InGaAs(P)/InP MQW Structure by Quantum Well Intermixing[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(6): 540-548 DOI：

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