高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤
- Catastrophic Damage of High-power Semiconductor Quantum Well Laser During the Measurement
- 发光学报 2002年23卷第5期页码：477-480
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  2. 吉林大学, 电子科学与工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN28.
- 收稿：2002-04-03，
  
  修回：2002-7-2，
  
  纸质出版：2002-09-20
- 稿件说明：
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曹玉莲, 王乐, 潘玉寨, 廖新胜, 程东明, 刘云, 王立军. 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤[J]. 发光学报, 2002,23(5): 477-480

CAO Yu-lian, WANG Le, PAN Yu-zhai, LIAO Xin-sheng, CHENG Dong-ming, LIU Yun, WANG Li-jun. Catastrophic Damage of High-power Semiconductor Quantum Well Laser During the Measurement[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 477-480
曹玉莲, 王乐, 潘玉寨, 廖新胜, 程东明, 刘云, 王立军. 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤[J]. 发光学报, 2002,23(5): 477-480 DOI：

CAO Yu-lian, WANG Le, PAN Yu-zhai, LIAO Xin-sheng, CHENG Dong-ming, LIU Yun, WANG Li-jun. Catastrophic Damage of High-power Semiconductor Quantum Well Laser During the Measurement[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 477-480 DOI：

在使用综合参数测试仪测试80.8nm发射的半导体量子阱激光器的过程中

出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线

断定激光器出现了灾变性的损伤

同时测试的发射光谱不再是激射光谱

而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜(SEM)观察到了激光器的腔面膜出现了熔化

证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比

我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象

对两种退化出现的原因进行了理论上的分析

了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的

在测试器件过程中电浪涌只不过会加速或产生突然灾变性退化。通过测试我们建立了一种比较简单的检验一个激光器质量可靠性的方法

所以理解由电浪涌所引起的退化行为是非常重要的。

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