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生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响
研究论文 | 更新时间：2020-08-11

    • 生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响

    • Effect of Growth Temperature on Properties of In0.53Ga0.47 As/InP Grown by LPMOCVD

    • 发光学报   2002年23卷第5期 页码：465-468
    • 中图分类号： TN304.055

    • 收稿：2002-04-12，

      修回：2002-5-30，

      纸质出版：2002-09-20

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  • 缪国庆, 金亿鑫, 蒋红, 周天明, 李树玮, 元光, 宋航. 生长温度对In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As/InP的LPMOCVD生长影响[J]. 发光学报, 2002,23(5): 465-468 DOI：

    MIAO Guo-qing, JIN Yi-xin, JIANG Hong, ZHOU Tian-ming, LI Shu-wei, YUAN Guang, SONG Hang. Effect of Growth Temperature on Properties of In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub> As/InP Grown by LPMOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 465-468 DOI：

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