ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

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研究论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
- Direct Gap-Indirect Gap Transformation of ZnSe and ZnSe/GaAs Heterojunction Structures under Hydrostatic Pressure
- 发光学报 2002年23卷第5期页码：456-460
- 作者机构：
  
  1. 内蒙古大学理工学院物理系
  2. 内蒙古师范大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60166002)()
- DOI：
  中图分类号： O472.3
- 收稿：2002-01-28，
  
  修回：2002-5-30，
  
  纸质出版：2002-09-20
- 稿件说明：
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郭子政, 梁希侠, 班士良. ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变[J]. 发光学报, 2002,23(5): 456-460

GUO Zi-zheng, LIANG Xi-xia, BAN Shi-liang. Direct Gap-Indirect Gap Transformation of ZnSe and ZnSe/GaAs Heterojunction Structures under Hydrostatic Pressure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 456-460
郭子政, 梁希侠, 班士良. ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变[J]. 发光学报, 2002,23(5): 456-460 DOI：

GUO Zi-zheng, LIANG Xi-xia, BAN Shi-liang. Direct Gap-Indirect Gap Transformation of ZnSe and ZnSe/GaAs Heterojunction Structures under Hydrostatic Pressure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 456-460 DOI：

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、

X、L

等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明

同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同

ZnSe的X点导带底具有正的压力系数

但比Γ点的压力系数小

这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、

X、L

对称点压力系数的影响

表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。

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