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蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11

    • 蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低

    • Polarity Control and Threading Dislocation Reduction in RF-MBE Grown GaN on Sapphire Substrates

    • 发光学报   2001年22卷第4期 页码：319-323
    • 中图分类号： TN312.8

    • 纸质出版：2001-11-30

    移动端阅览

  • Kishino K, Kikuchi A . 蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低[J]. 发光学报, 2001,22(4): 319-323 DOI：

    Kishino K, Kikuchi A. Polarity Control and Threading Dislocation Reduction in RF-MBE Grown GaN on Sapphire Substrates[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(4): 319-323 DOI：

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Hasegawa F
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邢艳辉
董晟园
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相关机构

National Institute for Research in Inorganic Materials, Tsukuba
University of Tsukuba, Institute of Applied Physics, Tsukuba
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
北京工业大学信息学部 光电子技术教育部重点实验室
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
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