Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

郑代顺; 李海蓉; 王延勇; 张福甲

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Alq₃/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

无机、有机电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- Alq₃/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究
- XPS Investigation of Surface and Interface Electronic States of Alq₃/ITO
- 发光学报 2001年22卷第4期页码：351-356
- 作者机构：
  
  兰州大学物理学院, 甘肃, 兰州, 730000
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60076023)()
- DOI：
  中图分类号： TN383.1
- 收稿：2001-03-13，
  
  修回：2001-6-28，
  
  纸质出版：2001-11-30
- 稿件说明：
移动端阅览
郑代顺, 李海蓉, 王延勇, 张福甲. Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究[J]. 发光学报, 2001,22(4): 351-356

ZHENG Dai-shun, LI Hai-rong, WANG Yan-yong, ZHANG Fu-jia. XPS Investigation of Surface and Interface Electronic States of Alq3/ITO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(4): 351-356
郑代顺, 李海蓉, 王延勇, 张福甲. Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究[J]. 发光学报, 2001,22(4): 351-356 DOI：

ZHENG Dai-shun, LI Hai-rong, WANG Yan-yong, ZHANG Fu-jia. XPS Investigation of Surface and Interface Electronic States of Alq3/ITO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2001,22(4): 351-356 DOI：

摘要

用传统的真空蒸镀法制备了Alq

/ITO样品

并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq

/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态.对Alq

/ITO样品的表面分析表明

在Alq

分子中

Al原子的束缚能(E

)为70.7eV和75.1eV.分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态

C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV

分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于401.0eV

对应于C-N=C键;而O原子主要与H原子成键

其束缚能为532.8eV.为了研究Alq

/ITO的界面电子状态

我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀

当溅射时间分别为30

45分钟时进行XPS采谱分析.结果表明

随着氩离子束溅射时间增长

Al2p、C1s、N1s、O1s、In3d

5/2

和Sn3d

5/2

峰都向低束缚能方向有微小移动

且Al2p、C1s和N1s峰变弱

这是受ITO中扩散进入Alq

层的O、In和Sn原子的影响所致.

Abstract

关键词

Keywords

references

浏览量

227

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

钼酸锂粉体的水解中和法合成及其晶体制备

NaYF4∶Yb,Tm@CsPbBr3异质结构制备与发光性能

四苯乙烯手性组装体系的圆偏振发光与调控研究进展

镧系金属有机框架材料在防伪中的应用

强共价低声子能量稀土硫化物：破解Cr3+短波红外发光效率与稳定性难题